×
1Тб в смартфоне теперь реальность

Одной из ограничительных черт современных смартфонов является объем встроенной памяти. Вскоре все может измениться, на смену нынешнему формату флеш-памяти может придти новый стандарт RRAM (резистивная память с произвольным доступом).

 

Разработкой именно этой технологии похвастались на этой неделе инженеры из Rice University. Благодаря их открытию, теперь можно создавать компоненты, не прибегая к сложным техпроцессам, а также отказаться от использования труднодоступных материалов или неестественных температур.


На кристалле размером с почтовую марку может поместиться до 1Тб данных. При этом RRAM-память не требовательна к потреблению электроэнергии и не нагревается.