×
Терабайты памяти на смартфоне могут стать реальностью через пару лет

Ученые из Университета Райса в Техасе сделали важный шаг на пути коммерческой реализации резистивной памяти со случайным доступом (RRAM). Предполагается, что плотность такой памяти будет на порядок выше современной флеш-памяти, что позволит смартфонам и другим мобильным устройствам вмещать терабайты данных, передает CNews.

 

По сравнению с флеш-памятью, в которой биты хранятся в виде зарядов, размеры таких ячеек гораздо меньше, поэтому при использовании RRAM в единице объема помещается гораздо больше информации. Еще одно преимущество RRAM заключается в простоте наложения слоев ячеек друг на друга, что позволяет экономить занимаемую микросхемой площадь.

 

Производство RRAM-чипов - довольно дорогостоящий процесс, требующий высокой температуры. Кроме того, для переключения состояния самих ячеек требуется высокое напряжение, воздействие которого на материал сокращает срок эксплуатации чипов.

 

Техасские исследователи утверждают, что им удалось решить обе эти проблемы. Они придумали такую RRAM-память, производство которой не требует высокой температуры, а переключение ее состояния - высокого напряжения.

 

Предложенная учеными ячейка RRAM-памяти состоит из трех слоев: двух металлических пластин, играющих роль электродов, и расположенной между ними перфорированной пластины из диоксида кремния, с отверстиями диаметром 5 нм.